一种基于硅衬底的LED垂直芯片
授权
摘要
本实用新型属于半导体发光器件技术领域，涉及一种硅衬底的LED垂直芯片，包括：依次设置的背面金属层、金属通孔层、硅衬底、外延层、电流扩散层、电流阻挡层、钝化层和正电极，其中：背面金属层和金属通孔层共同组成负电极；金属通孔层包括通孔、金属种子层和通孔填充金属；金属通孔层将背面金属层和外延层相连，形成背面负电极和顶部正电极的LED垂直结构。本实用新型LED垂直芯片省去了衬底转移工艺，避免了在转移衬底过程中工艺复杂、良率不稳定等问题；相比于现有市场的正装和倒装LED芯片，本实用新型LED垂直芯片解决了电流横向传输中电流拥挤的问题，保留了垂直结构芯片中电流垂直传输的优势。
基本信息
专利标题 ：
一种基于硅衬底的LED垂直芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921422379.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-29
授权号 ：
CN210429863U
授权日 ：
2020-04-28
发明人 ：
颜才满汤勇李宗涛徐亮卢汉光伍科健丁鑫锐
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
林梅繁
优先权 ：
CN201921422379.X
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38 H01L33/00
法律状态
2020-04-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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