双应力SOI衬底

专利权的终止

摘要

本发明提供一种应变Si结构，其中该结构的nFET区拉伸应变，且该结构的pFET区压缩应变。宽泛地说，所述应变Si结构包括：衬底；在所述衬底顶上的第一多层的叠层，所述第一多层的叠层包括在所述衬底顶上的压缩介电层和在所述压缩介电层顶上的第一半导体层，其中所述压缩介电层将拉伸应力转移到所述第一半导体层；以及在所述衬底顶上的第二多层的叠层，所述第二多层的叠层包括在所述衬底顶上的拉伸介电层和在所述拉伸介电层顶上的第二半导体层，其中所述拉伸介电层将压缩应力转移到所述第二半导体层。所述拉伸介电层和所述压缩介电层优选包括氮化物，例如Si₃N₄。

基本信息

专利标题：

双应力SOI衬底

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101076889A

申请号：

CN200580042739.8

公开（公告）日：

2007-11-21

申请日：

2005-12-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

D·奇丹巴尔拉奥O·H·多库马茨B·B·多里斯O·格卢斯秦柯夫朱慧珑

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200580042739.8

主分类号：

H01L21/84

IPC分类号：

H01L21/84 H01L27/01

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

H01L21/84

衬底不是半导体的，例如绝缘体

法律状态

2019-12-06 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/84
申请日 : 20051213
授权公告日 : 20090603
终止日期 : 20181213

2017-01-25 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101745761750
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2005800427398
登记生效日 : 20170106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格罗方德半导体美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2017-01-25 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101745761751
IPC(主分类) : H01L 21/84
专利号 : ZL2005800427398
登记生效日 : 20170106
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格罗方德半导体美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格罗方德半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2009-06-03 ：

授权

2008-01-16 ：

实质审查的生效

2007-11-21 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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