本发明公开了一种多比特非易失性存储器的擦除修复方法、系统、装置，擦除修复方法包括：刷新缓存并加载待修复区域的待修复数据到缓存中；选定目标电压挡位，根据目标电压挡位确定目标电压挡位对应的修复校验电压和编程校验电压，修复校验电压比编程校验电压小；对待修复区域中任意一个存储单元，判断存储单元是否满足修复校验条件；当待修复区域中存在满足修复校验条件的存储单元，根据缓存中的待修复数据和编程校验电压对待修复区域的存储单元进行编程。因为判断存储单元是否满足擦除修复条件和修复时都是对待修复区域中的全部存储单元进行操作，所以可以减少加上存储阵列上的模拟电压的切换次数，从而降低在擦除修复过程中的功耗和时间。