擦除效率改善的非易失存储器及其制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种擦除效率改善的非易失存储器及其制备方法。该方法包括：在半导体衬底上形成隧道电介质层、电荷俘获层、电荷阻挡层和栅极的叠层结构；以及进行使用氧或CF4的等离子体或离子注入的栅极的后处理来增加形成栅极的材料的功函数。根据本发明，由于形成栅极的金属层的功函数还可以得到增加，所以可抑制在擦除操作期间的电子后隧穿。
基本信息
专利标题 ：
擦除效率改善的非易失存储器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790640A
申请号 ：
CN200510107641.8
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田尚勋金桢雨
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510107641.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/8239 H01L21/8247 H01L29/78 H01L27/105 H01L27/115
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-10-07 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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