本公开的实施例涉及改善硅光学调制器中调制效率的方法。一种用于形成具有改善的调制效率的硅光学调制器的方法。该方法包括：在SOI衬底中提供硅层；以及形成在硅层中具有肋结构的波导，该肋结构分别与一侧上的第一板形区域和相对侧上的第二板形区域接合，其中相应的板形厚度小于肋结构。该方法还包括在第一板形区域和第二板形区域的每一个中形成多重蚀刻区段，对于远离肋结构的部分，蚀刻深度减小。此外，该方法包括在具有中等P/N掺杂水平的肋结构中形成PN结。此外，该方法包括对第一/第二板形区域中的多重蚀刻区段分别掺杂P－型/N－型杂质，对于更远离肋结构的部分，掺杂增加。