本发明提供一种存储器及其制备方法，涉及半导体技术领域，该存储器包括基底，基底设置有控制区，控制区的两侧分别设置有存储区；每个存储区包括若干行第一有源区，每行第一有源区内的各第一接触区连接一条位线；控制区包括若干个第二有源区，每个第二有源区设置有第一栅极以及位于第一栅极两侧的第一源漏区和第二源漏区，控制区内的各第一栅极相互连接构成控制线；在同一个第二有源区内，第一源漏区和第二源漏区各自与对应的一条位线连接。本发明的存储器，通过控制线控制与第一源漏区连接的位线以及与第二源漏区连接的位线是否导通，进而控制每次读操作和写操作时间，使得存储器的存储速度加快，存储器性能提升。