三维存储器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括：交替叠置绝缘层、间隔层、所述绝缘层以及牺牲层以形成叠层结构，并形成贯穿所述叠层结构的沟道结构，其中所述沟道结构包括形成于所述沟道结构的内壁上的电荷捕获层；以及经由所述间隔层断开所述电荷捕获层。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497057A
申请号 ：
CN202210104344.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴继君
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202210104344.1
主分类号 ：
H01L27/11568
IPC分类号 ：
H01L27/11568 H01L27/11582
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11568
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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