三维存储器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种三维存储器及其制备方法。三维存储器的制备方法包括：交替叠置第一绝缘层和第一牺牲层以形成第一叠层结构；在所述第一叠层结构中形成分别延伸至位于不同高度处的所述第一牺牲层的多个第一子接触孔；在所述第一叠层结构上交替叠置第二绝缘层和第二牺牲层以形成第二叠层结构；形成贯穿所述第二叠层结构并连接至所述第一子接触孔的多个第一延伸接触孔，并在所述第二叠层结构中形成分别延伸至位于不同高度处的所述第二牺牲层的多个第二接触孔；以及填充所述第一子接触孔和所述第一延伸接触孔以形成第一接触结构，并填充所述第二接触孔以形成第二接触结构。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334988A
申请号 ：
CN202111683655.X
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐玲张中王迪
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202111683655.X
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521 H01L27/11548 H01L27/11556 H01L27/11568 H01L27/11575 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11521
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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