三维存储器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请实施例提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：在衬底上形成具有栅极层的台阶结构，并在所述台阶结构上形成台阶介质层，其中，所述台阶结构包括相互隔离的至少两个子台阶结构；形成分别贯穿所述台阶介质层并延伸至每个所述子台阶结构中的字线接触，其中，所述字线接触与所述栅极层连接；去除所述台阶介质层的一部分形成导电部，其中，所述导电部将每个所述子台阶结构中的字线接触连接；以及在所述台阶介质层的远离所述衬底的一侧形成第一接触，其中，所述第一接触与至多部分所述子台阶结构中的字线接触连接。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284293A
申请号 ：
CN202111633046.3
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢炜王迪周文犀
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202111633046.3
主分类号 ：
H01L27/11575
IPC分类号 ：
H01L27/11575 H01L27/1157 H01L27/11582 H01L27/11573
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11575
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
