三维存储器及其制备方法、存储器系统
公开
摘要
本申请的实施方式提供了一种三维存储器及其制备方法。该三维存储器包括：半导体层；叠层结构，位于半导体层上，多个栅线缝隙结构，贯穿叠层结构；以及多个隔离部，穿过叠层结构的靠近半导体层的一部分，并分别包覆每个栅线缝隙结构的至少一部分。本申请的实施方式提供的三维存储器及其制备方法，能够降低叠层结构中的导电层之间短接漏电风险，从而提高制备完成后的三维存储器的电学性能。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器及其制备方法、存储器系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613837A
申请号 ：
CN202210175223.6
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孔翠翠张坤吴林春张中周文犀
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202210175223.6
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L27/1157 H01L27/11578 H01L21/764
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
