垂直型存储器及制备方法
授权
摘要
本发明提供一种垂直型存储器及制备方法，通过在第一逻辑单元及第二逻辑单元之间形成存储单元，可制备具有2T1C的单元结构的垂直型存储器，从而可缩小垂直型存储器的尺寸；在制备的2T1C的单元结构中，当通过第一逻辑单元向存储结构的第二极板存储电子，第二逻辑单元向存储结构的第一极板存储空穴，即可定义为1、当通过第一逻辑单元向存储结构的第二极板存储空穴，第二逻辑单元向存储结构的第一极板存储电子，即可定义为‑1、当两者都不存储时，则可定义为0，从而通过2T1C的单元结构可实现存储1.5bit的结构，从而本发明可同时实现垂直型存储器的小型化及多功能应用。
基本信息
专利标题 ：
垂直型存储器及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113314531A
申请号 ：
CN202110587059.5
公开（公告）日 ：
2021-08-27
申请日 ：
2021-05-27
授权号 ：
CN113314531B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
刘金营
申请人 ：
上海积塔半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区云水路600号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
卢炳琼
优先权 ：
CN202110587059.5
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-09-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/105
申请日 : 20210527
申请日 : 20210527
2021-08-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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