三维存储器及其制备方法、存储器系统
公开
摘要
本申请的实施方式提供一种三维存储器及其制备方法、存储器系统。该三维存储器包括:衬底;外围电路,设置于衬底的一侧;存储单元阵列,设置于外围电路的远离衬底的一侧;以及公共半导体层,设置于存储单元阵列的远离外围电路的一侧;其中,存储单元阵列与外围电路和公共半导体层电连接。
基本信息
专利标题 :
三维存储器及其制备方法、存储器系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114613777A
申请号 :
CN202210219876.X
公开(公告)日 :
2022-06-10
申请日 :
2022-03-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈亮
申请人 :
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 :
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 :
刘莹
优先权 :
CN202210219876.X
主分类号 :
H01L27/11524
IPC分类号 :
H01L27/11524 H01L27/11551 H01L27/1157 H01L27/11578 G11C16/04 G11C16/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器;其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的,例如,NAND
法律状态
2022-06-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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