三维存储器及其制备方法和三维存储器系统
公开
摘要
本申请提供了一种三维存储器及其制备方法和三维存储器系统，三维存储器包括：堆叠层、下沟道牺牲结构和第一虚拟沟道结构，堆叠层位于半导体层上且包括：台阶部；核心部，位于所述台阶部的相对两侧；以及堆叠墙，桥接所述核心部且连接所述台阶部的靠近所述半导体层的一部分；下沟道牺牲结构贯穿所述堆叠墙并设置在所述半导体层中；第一虚拟沟道结构贯穿所述台阶部并设置在所述半导体层中，第一虚拟沟道结构的径向尺寸大于所述下沟道牺牲结构的径向尺寸。本申请的三维存储器的下沟道牺牲结构能够支撑堆叠墙且使堆叠墙的电阻可控。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器及其制备方法和三维存储器系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300472A
申请号 ：
CN202111648352.4
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢景涛颜丙杰王迪周文犀陈阳
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202111648352.4
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11582
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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