三维存储器及其制备方法、存储器系统
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种三维存储器及其制备方法、存储器系统。制备方法包括：在衬底上形成包括交替叠置的电介质层和栅极牺牲层的第一叠层结构；形成穿过至少一个栅极牺牲层的顶部选择栅切口，并在顶部选择栅切口内形成第一牺牲层；去除第一牺牲层，以及去除栅极牺牲层以形成牺牲间隙，在牺牲间隙内形成栅极导电层。本申请提供的三维存储器及其制备方法、存储器系统可控性强，可减少对栅极导电层的影响，避免增大栅极导电层的负载，而且能够解决常规制备方法中顶部选择栅切口先形成工艺中使相邻的顶部选择栅切口之间的栅极牺牲层无法替换为栅极导电层的问题。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器及其制备方法、存储器系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420699A
申请号 ：
CN202210057573.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢景涛颜丙杰周文犀
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202210057573.2
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11582
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20220119
申请日 : 20220119
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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