一种存储器及其制备方法和存储系统
公开
摘要
本发明公开了一种存储器及其制备方法和存储系统，先形成覆盖台阶结构的停止层，该停止层包括沿第一方向延伸的隔离结构和停止结构。接着形成贯穿隔离结构和台阶结构的栅线缝隙，该栅线缝隙沿第一方向延伸且与停止结构之间间隔有隔离结构。再通过栅线缝隙将层间牺牲层置换为层间栅极层，最后形成贯穿所述停止结构的接触孔。由于栅线缝隙与停止结构之间间隔有隔离结构，而栅线缝隙与层间牺牲层接触，因此停止层不会在置换工艺中被去除，进而可以作为后续形成接触孔的蚀刻停止层，以降低接触孔刻蚀的工艺难度。
基本信息
专利标题 ：
一种存储器及其制备方法和存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597166A
申请号 ：
CN202210204458.3
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阳叶军
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
李莎
优先权 ：
CN202210204458.3
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/538 H01L27/11524 H01L27/11551 H01L27/1157 H01L27/11578 G11C16/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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