本申请实施例公开了一种存储器、存储系统及预充电方法，属于存储技术领域。该预充电方法包括：对源极线连接端施加预充电电压；对存储单元堆栈中的各个存储单元的栅极施加电压；其中，对已编程存储单元的栅极施加的电压大于已编程存储单元的阈值电压，对未编程存储单元的栅极施加的电压大于未编程存储单元的阈值电压。此种方法，能够在存储单元堆栈中存在已编程存储单元的情况下，保证掺杂区中的电子以及与选定字线耦合的存储单元的沟道中的电子均被较为充分地吸引至源极线连接端，从而实现对非选定存储串的较为充分地预充电，降低存储单元堆栈中与选定字线耦合的存储单元受到的编程干扰。