一种预充电方法及使用该方法的存储器装置

实质审查的生效

摘要

本发明提供一种预充电方法以及使用该方法的存储器装置。该预充电方法包含以下步骤：步骤1，对所有的位线进行预充电；步骤2，根据页面缓冲器中锁存器的值对位线电压进行设置，其中，当锁存器上的值为“1”时，将与该页面缓存器连接的位线电压升高到高电平；当锁存器上的值为“0”时，将与该页面缓存器连接的位线电压保持为低电平。采用本发明中提供的预充电方法，将会减小因为耦合电容而导致的锁存节点上的电压值的改变，可以有效地减少位线间耦合电容对存储器装置的影响，使得位线上有较大的容性负载时，存储器装置也能正常工作。

基本信息

专利标题：

一种预充电方法及使用该方法的存储器装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114512162A

申请号：

CN202210097610.2

公开（公告）日：

2022-05-17

申请日：

2022-01-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

安圣薰

申请人：

东芯半导体股份有限公司

申请人地址：

上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心L4A-F5

代理机构：

南京华讯知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

刘小吉

优先权：

CN202210097610.2

主分类号：

G11C7/12

IPC分类号：

G11C7/12

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C7/10

输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器

G11C7/12

位线控制电路，例如，用于位线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路、均衡电路

法律状态

2022-06-03 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : G11C 7/12
申请日 : 20220127

2022-05-17 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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