三维存储器及其制造方法、存储系统
实质审查的生效
摘要
本公开涉及一种三维存储器及其制造方法、存储系统。该三维存储器包括交替堆叠的栅极层和绝缘层，三维存储器在堆叠的方向的垂面内划分有：第一存储结构；第二存储结构，与第一存储结构间隔设置；桥接结构，设置于第一存储结构和第二存储结构之间，并连接第一存储结构和第二存储结构中的至少一个，桥接机构沿堆叠的方向包括堆叠设置的至少两个墙体；以及复合台阶结构，设置于第一存储结构和第二存储结构之间，其中，复合台阶结构中的至少一个台阶通过桥接结构电连接至第一存储结构和第二存储结构中的至少一个。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器及其制造方法、存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334991A
申请号 ：
CN202111682033.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈阳王迪张中周文犀
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202111682033.5
主分类号 ：
H01L27/11524
IPC分类号 ：
H01L27/11524 H01L27/11529 H01L27/11556 H01L27/1157 H01L27/11573 H01L27/11582
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的，例如，NAND
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11524
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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