三维存储结构及其制造方法、三维存储器、存储系统
实质审查的生效
摘要
本公开涉及一种三维存储结构及其制造方法、三维存储器、存储系统。该用于制造三维存储结构的方法包括：在衬底上形成叠层结构，其中，叠层结构包括通过堆叠第一材料层和第二材料层形成的多个堆叠层；在叠层结构中形成多个接触孔，接触孔自叠层结构远离衬底的一侧沿多个堆叠层的堆叠方向延伸，多个接触孔包括至少两组接触孔；延长每组接触孔中的至少一个，使同一组接触孔中的每个接触孔延伸至不同高度位置的第一材料层；延长至少一组的接触孔，使每组接触孔中的任一个接触孔与其他组接触孔中的任一个接触孔延伸至不同的高度位置；以及在接触孔中形成导电通道结构。
基本信息
专利标题 ：
三维存储结构及其制造方法、三维存储器、存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497058A
申请号 ：
CN202210112076.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈阳王迪张中周文犀
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202210112076.8
主分类号 ：
H01L27/11568
IPC分类号 ：
H01L27/11568 H01L27/11575 H01L27/11582
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11568
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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