三维存储器件及其制造方法、存储系统
公开
摘要
本申请提供了一种三维存储器件及其制造方法、存储系统。该三维存储器件包括：叠层结构，具有堆叠方向及与所述堆叠方向垂直的第一延伸方向；隔离柱，沿所述堆叠方向在所述叠层结构中延伸；以及第一栅线缝隙结构，沿所述堆叠方向贯穿所述叠层结构并沿所述第一延伸方向延伸，包括沿所述第一延伸方向间隔设置的多个子栅线缝隙结构，其中，所述子栅线缝隙结构的一部分延伸至所述隔离柱中。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器件及其制造方法、存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613838A
申请号 ：
CN202210190892.0
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许波徐伟刘思敏郭亚丽陈斌
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202210190892.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L27/11524 H01L27/11551 H01L27/1157 H01L27/11578 H01L21/764
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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