存储器件、存储系统及其操作方法
公开
摘要
一种操作存储器件的方法，该方法包括：执行第一编程操作以形成多个第一阈值电压分布；以及基于偏移信息，通过使用粗略验证电压和精细验证电压来执行第二编程操作，以从多个第一阈值电压分布形成分别与多个编程状态对应的多个第二阈值电压分布，其中，偏移信息包括根据第二阈值电压分布的特性而变化的多个偏移。
基本信息
专利标题 ：
存储器件、存储系统及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512170A
申请号 ：
CN202111358539.0
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金珉奭张俊锡金炯坤李先庸
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李敬文
优先权 ：
CN202111358539.0
主分类号 ：
G11C16/34
IPC分类号 ：
G11C16/34 G11C16/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/34
编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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