非易失性存储器及其控制方法、存储系统
实质审查的生效
摘要
本申请提供了一种非易失性存储器及其控制方法、存储系统，所述非易失性存储器包括多个存储串，每个所述存储串包括多个存储单元组，每个所述存储单元组包括多个存储单元，所述方法包括：对所述存储串的部分存储单元组执行擦除再编程操作，其中，所述执行擦除再编程操作的存储单元组为第一存储单元组，所述存储串中未执行擦除再编程操作的存储单元组为第二存储单元组；以及在对选中的存储单元进行读操作时，对未选中的存储单元施加导通电压，其中，对所述第一存储单元组中的未选中的存储单元施加第一导通电压，对所述第二存储单元组中的未选中的存储单元施加第二导通电压，其中，所述第一导通电压大于所述第二导通电压。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储器及其控制方法、存储系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114360615A
申请号 ：
CN202210028399.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘红涛赵向南贾建权蒋颂敏崔莹
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202210028399.9
主分类号 ：
G11C16/34
IPC分类号 ：
G11C16/34 G11C16/26 G11C16/04 G11C8/08 G11C5/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/34
编程状态的确定，例如，阈值电压、过编程或欠编程、保留
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/34
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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