三维存储器的制备方法
授权
摘要
本申请提供了一种制备三维存储器的方法，该方法包括：在衬底的一侧上交替堆叠牺牲层与电介质层以形成叠层结构；形成贯穿所述叠层结构并延伸至衬底中的栅极线隙；去除牺牲层以形成栅极间隙；在栅极线隙的内壁与栅极间隙的内壁上形成沉积层；以及交替执行干法刻蚀处理和湿法刻蚀处理以去除沉积层的至少一部分，以在栅极间隙处形成具有目标深度的凹槽。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113035700A
申请号 ：
CN202110245220.0
公开（公告）日 ：
2021-06-25
申请日 ：
2021-03-05
授权号 ：
CN113035700B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
刘力恒长江徐伟许波
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京海智友知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴京顺
优先权 ：
CN202110245220.0
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L27/11524 H01L27/11551 H01L27/1157 H01L27/11578
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-07-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20210305
申请日 : 20210305
2021-06-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
