一种垂直栅极的存储器件结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种垂直栅极的存储器件结构及其制备方法。该垂直栅极的存储器件结构包括：衬底，其形成有P阱区、N阱区和U形槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U形槽贯穿N阱区；第一栅氧化层，形成在所述U形槽表面并延伸覆盖部分所述N阱区表面，且在U形槽的侧壁和N阱区表面处形成有窗口；半浮栅，形成在所述U形槽中，覆盖所述第一栅氧化层，且在窗口处与N阱区相接触；控制栅介质层，形成在所述U形槽中，覆盖所述半浮栅并延伸覆盖部分所述第一栅氧化层；控制栅，覆盖所述控制栅介质层，并完全填充U形槽；源区和漏区，分别形成在所述控制栅两侧，所述N阱区中。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直栅极的存储器件结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335189A
申请号 ：
CN202210001052.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
晁鑫王晨陈琳孙清清张卫
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市杨浦区邯郸路220号
代理机构 ：
北京得信知识产权代理有限公司
代理人 ：
孟海娟
优先权 ：
CN202210001052.5
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L21/336 H01L29/423
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/788
申请日 : 20220104
申请日 : 20220104
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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