一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法，包括衬底、固定铁磁层复合结构、沟槽、绝缘隧穿势垒层、自由铁磁层、中间金属连接结构及外围金属连接结构；固定铁磁层复合结构位于衬底上，包括交替排布的绝缘层及固定铁磁层；沟槽贯穿固定铁磁层；绝缘隧穿势垒层及自由铁磁层依次位于沟槽内；中间金属连接结构位于沟槽内且覆盖自由铁磁层；外围金属连接结构位于固定铁磁层复合结构中与固定铁磁层相接触且对应设置。本发明垂直自旋转移矩磁性随机存储器由STT‑MRAM在竖向上堆叠组合，在相同占地面积下，可存储双倍或更多倍的信息，可提高存储器件的存储密度，且可提高各层存储器“读”“写”的准确性。
基本信息
专利标题 ：
一种垂直自旋转移矩磁性随机存储器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114429967A
申请号 ：
CN202210089178.2
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘金营
申请人 ：
上海积塔半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
卢炳琼
优先权 ：
CN202210089178.2
主分类号 ：
H01L27/22
IPC分类号 ：
H01L27/22 H01L43/08 H01L43/10 H01L43/12
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/22
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
