具有用于自旋转移翻转的高自旋极化层的MTJ元件以及使用该...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
揭露了一种提供磁性元件的方法及系统。所述方法及系统包括设置第一及第二被钉扎层、自由层及分别位于所述第一及第二被钉扎层与所述自由层之间的第一及第二势垒层。所述第一势垒层为绝缘的结晶MgO且形成为容许隧穿通过所述第一势垒层。此外，所述第一势垒层具有与另一层交界的界面，所述另一层诸如所述自由层或所述第一被钉扎层。所述界面具有提供至少50％的高自旋极化的结构。所述第二势垒层为绝缘的且形成为容许隧穿通过所述第二势垒层。所述磁性元件形成为当写电流经过所述磁性元件时，容许该自由层可因自旋转移而被翻转。
基本信息
专利标题 ：
具有用于自旋转移翻转的高自旋极化层的MTJ元件以及使用该磁性元件的自旋电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101133476A
申请号 ：
CN200580048787.8
公开（公告）日 ：
2008-02-27
申请日 ：
2005-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
怀一鸣马亨德拉·帕卡拉
申请人 ：
弘世科技公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海恩田旭诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹洪波
优先权 ：
CN200580048787.8
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L29/82
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2009-09-23 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-04-23 ：
实质审查的生效
2008-02-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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