一种自旋轨道矩磁性随机存储器及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种自旋轨道矩磁性随机存储器及其制备方法,自旋轨道矩磁性随机存储器包括衬底、绝缘层、拓朴结构、磁性隧道结、第一导电结构、第二导电结构及第三导电结构;本发明的自旋轨道矩磁性随机存储器,将拓朴结构设置于磁性隧道结外,且与自由铁磁层相接触,并在磁性隧道结内设置第一导电结构,且第一导电结构与固定铁磁层相接触,且拓朴结构与磁性隧道结均呈U型或V型,从而可使得自旋轨道矩磁性随机存储器实现“读”与“写”的操作,且可实现自旋轨道矩磁性随机存储器的微缩,提高存储能力,扩大所述自旋轨道矩磁性随机存储器的应用。

基本信息
专利标题 :
一种自旋轨道矩磁性随机存储器及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114497355A
申请号 :
CN202210072108.6
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-01-21
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘金营
申请人 :
上海积塔半导体有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号
代理机构 :
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 :
卢炳琼
优先权 :
CN202210072108.6
主分类号 :
H01L43/06
IPC分类号 :
H01L43/06  H01L43/08  H01L43/10  H01L43/14  
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/06
申请日 : 20220121
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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