一种自旋轨道矩磁性随机存储器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种自旋轨道矩磁性随机存储器及其制备方法，自旋轨道矩磁性随机存储器包括衬底、绝缘层、拓朴结构、磁性隧道结、第一导电结构、第二导电结构及第三导电结构；本发明的自旋轨道矩磁性随机存储器，将拓朴结构设置于磁性隧道结外，且与自由铁磁层相接触，并在磁性隧道结内设置第一导电结构，且第一导电结构与固定铁磁层相接触，且拓朴结构与磁性隧道结均呈U型或V型，从而可使得自旋轨道矩磁性随机存储器实现“读”与“写”的操作，且可实现自旋轨道矩磁性随机存储器的微缩，提高存储能力，扩大所述自旋轨道矩磁性随机存储器的应用。
基本信息
专利标题 ：
一种自旋轨道矩磁性随机存储器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497355A
申请号 ：
CN202210072108.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘金营
申请人 ：
上海积塔半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
卢炳琼
优先权 ：
CN202210072108.6
主分类号 ：
H01L43/06
IPC分类号 ：
H01L43/06 H01L43/08 H01L43/10 H01L43/14
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 43/06
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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