一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法，涉及电子领域，该自旋轨道矩磁存储器包括：复合式重金属层以及设置于复合式重金属层之上的磁隧道结，其中，所述复合式金属层包括至少两层薄膜结构：第一重金属层结构以及第二重金属层结构，至少两层薄膜结构中的任一一层由β相结构材料得到。可见，将原重金属层的材料选取为β相结构材料，由于β相结构材料自身属性是具有较大的自旋霍尔角，可以使SOT‑MRAM具有较大的翻转效率，同时β相结构材料与具有相同自旋电导率的其它材料相比，具有更小的电阻率，可以减小器件运行过程中因电阻率造成的损耗。
基本信息
专利标题 ：
一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114583046A
申请号 ：
CN202210171412.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
卢世阳宁小白商显涛刘宏喜曹凯华王戈飞
申请人 ：
致真存储（北京）科技有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区知春路6号(锦秋国际大厦)10层A03
代理机构 ：
北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
唐忠仙
优先权 ：
CN202210171412.6
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/06 H01L43/10 H01L43/14
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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