三维存储器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及三维存储器及其制备方法。所述方法可以包括：在衬底上形成在平行于衬底的方向上彼此相邻的刻蚀停止层和牺牲层；在刻蚀停止层和牺牲层上形成叠层结构；形成贯穿叠层结构至牺牲层的沟道结构；去除衬底和牺牲层以暴露沟道结构的端部；去除沟道结构的功能层的部分以暴露沟道结构的沟道层；以及形成与沟道层接触的引出结构。根据本公开的三维存储器的制备方法可以避免由于虚拟沟道在制备工艺中被刻蚀而导致的漏电问题，提高了三维存储器的电学性能和产品良率。
基本信息
专利标题 ：
三维存储器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284288A
申请号 ：
CN202111632540.8
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张坤
申请人 ：
长江存储科技有限责任公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
代理机构 ：
北京英思普睿知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莹
优先权 ：
CN202111632540.8
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11575 H01L27/11582 H01L25/18 H01L21/60
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20211229
申请日 : 20211229
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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