介电材料的气相处理
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及施加用于有机硅酸盐玻璃介电薄膜的表面改性剂组合物的方法。更特别地，本发明涉及处理衬底上硅酸盐或有机硅酸盐介电薄膜的方法，该薄膜或者包含硅烷醇部分，或者已使至少部分先前存在的含碳部分被除去。该处理增加了薄膜的含碳部分和/或当薄膜多孔时，密封了薄膜的表面孔。
基本信息
专利标题 ：
介电材料的气相处理
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101203944A
申请号 ：
CN200680017835.1
公开（公告）日 ：
2008-06-18
申请日 ：
2006-01-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·S·巴纳普I·戈尔斯克D·H·恩迪施B·J·丹尼尔斯K·S·伯恩哈姆R·R·罗思
申请人 ：
霍尼韦尔国际公司
申请人地址 ：
美国新泽西州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
吕彩霞
优先权 ：
CN200680017835.1
主分类号 ：
H01L21/316
IPC分类号 ：
H01L21/316 H01L21/3105 C23C16/56 C23C16/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/316
由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
法律状态
2010-08-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101006992037
IPC(主分类) : H01L 21/316
专利申请号 : 2006800178351
公开日 : 20080618
号牌文件序号 : 101006992037
IPC(主分类) : H01L 21/316
专利申请号 : 2006800178351
公开日 : 20080618
2008-08-13 ：
实质审查的生效
2008-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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