氮化物基半导体装置以及其制造方法
公开
摘要
氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、晶格层、第三氮化物基半导体层、第一源极电极和第二电极，以及栅极电极。第一氮化物基半导体层掺杂到第一导电类型。第二氮化物基半导体层安置在第一氮化物基半导体层上方。晶格层安置在第一和第二氮化物基半导体层之间且掺杂到第一导电类型。晶格层包括交替地堆叠的多个第一III‑V层和多个第二III‑V层。第一III‑V层中的每一个具有高电阻率区以及由高电阻率区包围的电流孔。高电阻率区包括比电流孔更多的金属氧化物，以便实现比电流孔的电阻率高的电阻率。电流孔中的至少两个具有不同尺寸，使得形成于高电阻率区与电流孔之间的界面中的至少一个彼此未对准。栅极电极与电流孔对准。
基本信息
专利标题 ：
氮化物基半导体装置以及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582956A
申请号 ：
CN202210205708.5
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周以伦高双李传纲
申请人 ：
英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
代理机构 ：
深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王琴
优先权 ：
CN202210205708.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/20 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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