薄膜图案形成方法、半导体器件、电光学装置、电子仪器
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
薄膜图案形成方法包括：在形成对于包含构成第一薄膜的薄膜材料的功能液具有亲液性的第二薄膜的步骤；在第二薄膜的表面进行付与对功能液的疏液性的处理的步骤；除去第二薄膜的一部分，形成规定第一薄膜图案形状的凹部的步骤；向凹部喷出功能液的步骤；使向凹部喷出的功能液干燥，形成第一薄膜的步骤。半导体器件的电路配线，用所述薄膜图案形成方法形成，电光学装置具备该半导体器件，电子仪器具备所述电光学装置。
基本信息
专利标题 ：
薄膜图案形成方法、半导体器件、电光学装置、电子仪器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1764352A
申请号 ：
CN200510113607.1
公开（公告）日 ：
2006-04-26
申请日 ：
2005-10-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
守屋克之平井利充
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200510113607.1
主分类号 ：
H05K3/12
IPC分类号 ：
H05K3/12 H05K1/02 H05K1/16 H05K3/10 G02B5/20 G02F1/1335
法律状态
2009-09-09 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-06-14 ：
实质审查的生效
2006-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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