本发明公开了一种半导体器件内形成微图案的方法，其中第一多晶硅膜、缓冲氧化物膜、第二多晶硅膜、抗抛光膜和第一氧化物膜依次在具有待蚀刻层的半导体衬底上层积。构图第一氧化物膜、抗抛光膜和第二多晶硅膜。氮化物膜间隔物在构图的侧部形成后，在整个结构上形成第二氧化物膜。使用抗抛光膜作为停止层，完成化学机械抛光工艺(CMP)。之后，移除氮化物膜间隔物后，利用氧化物膜和多晶硅膜在蚀刻选择比上的差异，移除第二氧化物膜和第二多晶硅膜。形成用于形成其中具有层积第一多晶硅膜和缓冲氧化物膜结构的微图案的硬掩模。使用该硬掩模作为蚀刻阻挡，蚀刻待蚀刻层。