光学半导体器件
公开
摘要
为了提供具有优异长期可靠性的光学半导体器件，光学半导体器件包括：衬底；设置在衬底上的台面结构；与台面结构的两侧接触设置的半导体掩埋层；以及包含金的电极，其设置在半导体掩埋层上方。台面结构包括第一导电类型半导体层、多量子阱层和第二导电类型半导体层，它们从衬底侧以所述顺序堆叠。半导体掩埋层包括与台面结构的侧部接触设置的第一半绝缘体InP层、与第一半绝缘体InP层接触设置的第一抗扩散层、以及设置在第一抗扩散层上的第二半绝缘InP层。第一抗扩散层具有小于第一半绝缘体InP层的金扩散常数。
基本信息
专利标题 ：
光学半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114552391A
申请号 ：
CN202111404598.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中村厚滝田隼人浜田重刚中岛良介荒泽正敏鹫野隆
申请人 ：
朗美通日本株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈茜
优先权 ：
CN202111404598.7
主分类号 ：
H01S5/227
IPC分类号 ：
H01S5/227 H01S5/343
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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