准常压薄膜的制备方法
专利申请权、专利权的转移
摘要

本发明公开了一种准常压薄膜的制备方法,包括以下步骤:第一步,将磷酸三乙酯、硼酸三乙酯和四乙氧基硅烷的液体分别输入各自对应的管道;第二步,通过汽化阀提高磷酸三乙酯的温度达到137℃-143℃并使之汽化、通过汽化阀使硼酸三乙酯和四乙氧基硅烷汽化;第三步,调整串联气体管道的温度到105℃-110℃;第四步,被汽化的磷酸三乙酯、硼酸三乙酯和四乙氧基硅烷进入腔体进行反应,产生可应用于层间绝缘膜的硼磷硅玻璃和副生成物。本发明通过提高气体管道的温度至110℃,将磷酸三乙酯提高至140℃,提高汽化性,不仅能延长汽化阀的寿命,还降低了生产成本。

基本信息
专利标题 :
准常压薄膜的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1978700A
申请号 :
CN200510111280.4
公开(公告)日 :
2007-06-13
申请日 :
2005-12-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈奕韬陈斌嵩
申请人 :
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 :
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 :
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 :
丁纪铁
优先权 :
CN200510111280.4
主分类号 :
C23C16/30
IPC分类号 :
C23C16/30  C23C16/448  C23C16/52  H01L21/205  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体,例如硼化物、碳化物、氮化物
法律状态
2014-02-12 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101690304909
IPC(主分类) : C23C 16/30
专利号 : ZL2005101112804
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140110
2009-06-17 :
授权
2007-08-08 :
实质审查的生效
2007-06-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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