常压化学气相沉积制备二硫化钽的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种常压化学气相沉积制备二硫化钽的方法，将氟晶云母基底进行清洗，分别称取S粉和TaCl5粉末；在管式炉外部另设两个加热带，将分别载有前驱体原料的石英舟推入相应的加热带进行气化；将氟晶云母基底推入管式炉膛中心位置；在还原性载气的通入下，保持S源持续供应，控制Ta源间歇供应时间，加热到反应温度进行基底上的逐层增长。在反应器外端另置加热带，实现了前驱体浓度适宜、均一参与反应，有效排除了生长过程中爆发式生长的弊端，提高了结晶质量和性能。间歇性进料逐层生长方式，实现了层数可控生长。明制备的晶体层数从单层到数百层精确可调。
基本信息
专利标题 ：
常压化学气相沉积制备二硫化钽的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318297A
申请号 ：
CN202111496892.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘红军杨天文邱海龙胡章贵
申请人 ：
天津理工大学
申请人地址 ：
天津市西青区宾水西道391号
代理机构 ：
太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宏
优先权 ：
CN202111496892.5
主分类号 ：
C23C16/453
IPC分类号 ：
C23C16/453 C23C16/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/453
通过燃烧器或喷灯的反应气体法，例如在大气压下的CVD法
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/453
申请日 : 20211209
申请日 : 20211209
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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