反应腔室
授权
摘要
本发明提供一种反应腔室，包括腔体和设置在腔体底部的底板，还包括保护结构，保护结构位于腔体与底板的对接处的内侧，用于将底板与腔体的内部隔离；并且，腔体的底壁、保护结构朝向腔体的内周壁的表面与底板朝向腔体内部的表面环绕形成隔离空间，可通过向隔离空间中通入保护气体，来阻挡反应腔室中的腐蚀性气体接触底板。本发明提供的反应腔室能够防止腐蚀性气体腐蚀金属盘，从而避免反应腔室中的晶圆受到腐蚀物的污染。
基本信息
专利标题 ：
反应腔室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110797279A
申请号 ：
CN201810876538.7
公开（公告）日 ：
2020-02-14
申请日 ：
2018-08-03
授权号 ：
CN110797279B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
董金卫
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201810876538.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-03-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180803
申请日 : 20180803
2020-02-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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