一种静电卡盘、处理腔室及半导体处理设备
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种静电卡盘、处理腔室及半导体处理设备，涉及半导体技术领域，用于在等离子体刻蚀或沉积工艺中，维持晶圆对等离子体反应的恒定温度，提升晶圆的良率。所述静电卡盘包括：静电卡盘本体、静电吸附部和冷却激光器。静电卡盘本体具有容纳腔。静电吸附部位于静电卡盘本体靠近晶圆的表面上，用于固定晶圆。冷却激光器设置在容纳腔内，用于向静电吸附部发射冷却激光，以冷却固定在静电吸附部上的晶圆。所述静电卡盘可以用于半导体处理设备中。
基本信息
专利标题 ：
一种静电卡盘、处理腔室及半导体处理设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551202A
申请号 ：
CN202011338932.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金根浩周娜王佳李琳李俊杰
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京知迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
王胜利
优先权 ：
CN202011338932.9
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/683 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20201125
申请日 : 20201125
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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