腔室开盖机构
授权
摘要
本实用新型公开一种在半导体真空传输系统中方便开盖的腔室开盖机构，包括：腔室主体；所述腔室主体具有容纳腔室以及通入所述容纳腔室的开口；可盖合在所述开口上的盖体；所述盖体可转动地连接所述腔室主体；具有第一连接端和第二连接端的气体弹簧；所述第一连接端可转动地连接所述腔室主体，所述第二连接端可转动地连接所述盖体；所述气体弹簧在所述盖体位于盖合位置时处于压缩状态并向上顶抵所述盖体。
基本信息
专利标题 ：
腔室开盖机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022220921.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
CN212625527U
授权日 ：
2021-02-26
发明人 ：
冯琳
申请人 ：
上海广川科技有限公司
申请人地址 ：
上海市宝山区山连路799号1幢1-3层
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
张印铎
优先权 ：
CN202022220921.2
主分类号 ：
H01L21/677
IPC分类号 ：
H01L21/677
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/677
用于传送的，例如在不同的工作站之间
法律状态
2021-02-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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