加热基座、工艺腔室及退火方法
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摘要
一种加热基座、工艺腔室及退火方法，加热基座包括基座主体，基座主体的上表面设有多个凸台，基座主体的上表面设有匀流槽，基座主体内设有气体通道，气体通道的一端与匀流槽连通。保护气体可沿环形的匀流槽扩散到基座主体的整个上表面，从而在基座主体的上表面形成气体保护层，防止有机物进入基片与基座主体之间的缝隙，避免基座主体表面污染。
基本信息
专利标题 ：
加热基座、工艺腔室及退火方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110544646A
申请号 ：
CN201811020733.6
公开（公告）日 ：
2019-12-06
申请日 ：
2018-09-03
授权号 ：
CN110544646B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
李强白志民邱国庆耿宏伟
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京思创毕升专利事务所
代理人 ：
孙向民
优先权 ：
CN201811020733.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-12-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180903
申请日 : 20180903
2019-12-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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