一种半导体工艺设备的进气模块及半导体工艺设备
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种半导体工艺设备的进气模块及半导体工艺设备,进气模块中设置有进气腔,进气腔的一端与进气管路连通,进气腔的另一端与半导体工艺设备的工艺腔室连通;进气腔内沿横向设置有多个进气隔块机构,多个进气隔块机构将进气腔分隔成多个子进气腔;进气隔块机构构包括两个移动块和驱动器,驱动器用于驱动移动块在进气腔内横向移动,以改变子进气腔的宽度和相邻两个子进气腔之间的间隔距离;该进气模块具有设置在进气腔内的多个进气隔块结构,利用每个进气隔块结构的两个移动块的移动,能够调节子进气腔的宽度及相邻两个子进气腔之间的间隔距离,进而更好地控制工艺气体在工艺腔室内的分布。

基本信息
专利标题 :
一种半导体工艺设备的进气模块及半导体工艺设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114481311A
申请号 :
CN202111604190.4
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2021-12-24
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
王飞熊
申请人 :
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 :
北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 :
北京思创毕升专利事务所
代理人 :
孙向民
优先权 :
CN202111604190.4
主分类号 :
C30B25/14
IPC分类号 :
C30B25/14  C30B25/16  H01L21/67  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/14
气体供给或排出用的装置;反应气流的变换
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/14
申请日 : 20211224
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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