半导体装置以及制造包括多堆栈混合定向层之半导体装置之方法

专利权的终止

摘要

一种包括具有第一晶向的衬底的半导体装置。第一绝缘材料位于衬底上且多个硅层位于第一绝缘层上。第一硅层包含具有第二晶向和一晶面的硅。第二硅层包含具有该第二晶向和基本上与该第一硅层的晶面垂直的晶面的硅。因为空穴在(110)面比在(100)面具有更高的迁移率，而电子在(100)面比在(110)具有更高的迁移率，故可藉由选择具有某晶面定向的硅层而增进半导体装置的效能。此外，提供形成半导体装置的方法。绝缘体上硅结构键合至第二硅衬底，该绝缘体上硅结构包括有第一绝缘层形成于其上的、具有第一晶向的第一硅衬底，以及位于该第一绝缘层上的具有第二晶向和晶面的第一硅层。该第二硅衬底具有第二晶向和一晶面以及形成于其上的第二绝缘层。该第二硅衬底包括通过注入氢离子至该第二硅衬底而产生的缺陷线。该第二硅衬底的晶面定向为基本上与该第一

基本信息

专利标题：

半导体装置以及制造包括多堆栈混合定向层之半导体装置之方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101065840A

申请号：

CN200580040188.1

公开（公告）日：

2007-10-31

申请日：

2005-11-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

A·M·韦特J·D·奇克

申请人：

先进微装置公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

戈泊

优先权：

CN200580040188.1

主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H01L21/762

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/71

限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造

H01L21/76

组件间隔离区的制作

H01L21/762

介电区

法律状态

2019-11-15 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20051129
授权公告日 : 20100106
终止日期 : 20181129

2010-09-08 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101007449406
IPC(主分类) : H01L 21/762
专利号 : ZL2005800401881
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 先进微装置公司
变更后权利人 : 格罗方德半导体公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 英属开曼群岛大开曼岛
登记生效日 : 20100730

2010-01-06 ：

授权

2008-01-16 ：

实质审查的生效

2007-10-31 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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