包括半导体芯片的组装体及其制造方法
授权
摘要
本发明公开了一种包括半导体芯片的组装体及其制造方法。目的在于：提供一种适于下世代半导体的倒装芯片式组装的、生产性及可靠性较高的包括半导体芯片的组装体及其制造方法。为包括半导体芯片(10)和组装基板(30)的组装体(100)，在半导体芯片(10)的面朝组装基板一侧的芯片表面(10a)形成有多个电极端子(12)，在组装基板(30)形成有对应于多个电极端子(12)的每一个电极端子的连接端子(32)，组装基板(30)的连接端子(32)与电极端子(12)通过自我聚集而成的焊剂凸块(17)同时电连接，在芯片表面(10a)、或者组装基板(30)中的对应于芯片表面(10a)的表面(35)形成有没有连接在电极端子(12)及连接端子(32)的电极图案(20)，且在电极图案(20)上聚集有焊剂(19)。
基本信息
专利标题 ：
包括半导体芯片的组装体及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101128925A
申请号 ：
CN200680005792.5
公开（公告）日 ：
2008-02-20
申请日 ：
2006-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
白石司石丸幸宏辛岛靖治中谷诚一矢部裕成
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200680005792.5
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2009-06-03 ：
授权
2008-04-30 ：
实质审查的生效
2008-02-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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