芯片组及其制造方法

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摘要

本发明提供一种芯片组及其制造方法。芯片组包括多个逻辑核心以及存储器芯片。多个逻辑核心分别具有第一装置层以及第一基板层，并且分别包括多个第一键合组件以及第一输入输出电路。多个第一键合组件设置在第一装置层。第一输入输出电路设置在第一装置层。存储器芯片具有第二装置层以及第二基板层，并且包括多个第二键合组件以及多个第二输入输出电路。多个第二键合组件设置在第二装置层。多个第二输入输出电路设置在第二装置层，且分别连接多个逻辑核心的第一输入输出电路。多个逻辑核心的多个第一键合组件的多个第一键合面分别与存储器芯片的多个第二键合组件的多个第二键合面以接垫对接垫的方式直接接合。

基本信息

专利标题：

芯片组及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113410223A

申请号：

CN202110662127.X

公开（公告）日：

2021-09-17

申请日：

2021-06-15

授权号：

CN113410223B

授权日：

2022-04-08

发明人：

不公告发明人

申请人：

上海壁仞智能科技有限公司

申请人地址：

上海市闵行区陈行公路2388号16幢13层1302室

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

彭久云

优先权：

CN202110662127.X

主分类号：

H01L25/18

IPC分类号：

H01L25/18 H01L23/31 H01L21/56 H01L23/488 H01L21/60