一种检测碳化硅晶体微管密度的装置
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摘要

本实用新型提供了一种检测碳化硅晶体微管密度的装置,包括:检测腔体、紫外发射元件和紫外光敏元件,检测腔体内设置有定位组件,定位组件用于放置待测碳化硅晶体;紫外发射元件设置在检测腔体内,且位于定位组件的一侧;紫外光敏元件设置在检测腔体内,且位于定位组件的另一侧;紫外光敏元件能够响应所述紫外发射元件发射的穿过待测碳化硅晶体后的光源。通过在定位组件两侧设置设置紫外发射元件和紫外光敏元件,紫外发射元件发射的光源通过待测碳化硅吸收后照射到紫外光敏元件,利用紫外光敏元件数值的变化检测穿过待测碳化硅晶体光源发生变化,从而检测出碳化硅晶体上是否有微管;且可以根据紫外光敏元件数值变化的大小确定碳化硅晶体微管密度。

基本信息
专利标题 :
一种检测碳化硅晶体微管密度的装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022443879.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-28
授权号 :
CN213875336U
授权日 :
2021-08-03
发明人 :
李帅秦莉冯琳琳刘耀华
申请人 :
山东天岳先进科技股份有限公司
申请人地址 :
山东省济南市槐荫区天岳南路99号
代理机构 :
北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘德顺
优先权 :
CN202022443879.0
主分类号 :
G01N9/00
IPC分类号 :
G01N9/00  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N9/00
测试材料的密度或比重;通过测定密度或比重以分析材料
法律状态
2021-08-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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