一种碳化硅晶体微管愈合用装置
授权
摘要
本申请公开了一种碳化硅晶体微管愈合用装置。该装置包括：真空生长室，内设开口朝上的坩埚，坩埚内能够盛放高温熔液；碳化硅晶体装载装置，位于真空生长室内、坩埚的上方，并且能够上下移动；温度调节装置，能够对真空生长室内部进行温度调节，温度调节装置包括设于真空生长室外的加热装置，加热装置包括加热线圈；压力调控装置，能够调节真空生长室内部的压力，包括抽气口和进气口，抽气口设于碳化硅晶体装载装置上方，进气口设于碳化硅晶体装载装置下方。本申请装置可以形成由下至上的气体流动方向，更利于排除碳化硅晶体中贯穿微管内部气体，提高贯穿微管中气体排除效率，有利于使坩埚内的高温熔液进入贯穿微管内部进行微管修复。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅晶体微管愈合用装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021496611.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-24
授权号 ：
CN213652729U
授权日 ：
2021-07-09
发明人 ：
王路平许晓林刘鹏飞高超张九阳王宗玉
申请人 ：
山东天岳先进科技股份有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市槐荫区天岳南路99号
代理机构 ：
北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王振南
优先权 ：
CN202021496611.7
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B33/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2021-07-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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