铝酸锂晶片的抛光方法
专利权的终止
摘要
一种铝酸锂晶片的抛光方法，包括下列步骤：将提拉法生长的铝酸锂晶体，用内圆切割机将其切割成一定厚度的晶片；将此晶片放入浓度为78－80％的盐酸或者硝酸中，升温至80－100℃，保温15－30分钟，取出用氮气吹干，用大视场显微镜观察晶片正反面腐蚀坑的情况，选择腐蚀坑少的一面作为下一步的抛光面；将晶片的待抛光面放在胶盘上，首先选用氧化铝粉对其进行粗磨，粗抛，达到表面平均粗糙度为5－10nm的晶面；对晶面进行精抛，用pH＝8－9的SiO2抛光液，抛光时间为1－3小时，获得表面平均粗糙度为1－2nm的晶面；采用中性金刚砂液，对此晶面继续抛光，抛光时间1.5－2.5小时，可以得到表面平均粗糙度优于0.2nm的晶面的铝酸锂晶片。
基本信息
专利标题 ：
铝酸锂晶片的抛光方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1817562A
申请号 ：
CN200610024584.1
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邹军周圣明黄涛华王军周健华
申请人 ：
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址 ：
201800上海市800－211邮政信箱
代理机构 ：
上海新天专利代理有限公司
代理人 ：
张泽纯
优先权 ：
CN200610024584.1
主分类号 ：
B24B29/00
IPC分类号 ：
B24B29/00 H01L21/304
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B29/00
有或没有使用固体或液体抛光剂并利用柔软材料或挠性材料制作的工具进行工件表面抛光的机床或装置
法律状态
2013-05-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101446752941
IPC(主分类) : B24B 29/00
专利号 : ZL2006100245841
申请日 : 20060310
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20120310
号牌文件序号 : 101446752941
IPC(主分类) : B24B 29/00
专利号 : ZL2006100245841
申请日 : 20060310
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20120310
2009-01-14 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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