一种钽酸锂晶片黑化装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种钽酸锂晶片黑化装置。包括盛装管，以及放置在盛装管内部的晶片放置装置，所述晶片放置装置包括底板、盖板以及设置在两者之间的多个治具，所述晶片放置装置通过底板水平放置在盛装管内部，所述治具为环状结构并且在其环状结构的两个端面均开设有通槽，多个治具重叠水平放置在底板上，且相邻治具间的通槽交错排列，所述盖板靠近治具的一侧还设置有重块，所述重块与治具内环匹配能够嵌入治具内环。本实用新型提高了钽酸锂晶片黑化均匀性。
基本信息
专利标题 ：
一种钽酸锂晶片黑化装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922076224.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-27
授权号 ：
CN211339743U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
李辉叶竹之雷晗
申请人 ：
成都泰美克晶体技术有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区西部园区天映路103号
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
许志辉
优先权 ：
CN201922076224.1
主分类号 ：
C30B33/00
IPC分类号 ：
C30B33/00 C30B33/02 C30B29/30
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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