一种新型铌酸锂光学波导晶片
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摘要

本实用新型公开了一种新型铌酸锂光学波导晶片,包括:铌酸锂晶片和光学波导,所述铌酸锂晶片为光学级晶体,其晶向为X切Y传或Z切Y传或X切Z传或Y切Z传等四种中的一种,所述光学波导为氧化锌扩散铌酸锂光学波导。本实用新型所提出的氧化锌扩散铌酸锂光学波导具有如下优势:(1)能够同时传输TE和TM两种偏振模式,具有比钛扩散光学波导更高的光损伤阈值,更适合应用于需要传输较高光功率的光传输系统;(2)具有较高的光损伤阈值,可以同时传输两种偏振模式,不存在其中一种偏振模式被滤波的现象;(3)制备工艺简单、成品率高、成本低,更适合于批量生产。

基本信息
专利标题 :
一种新型铌酸锂光学波导晶片
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920894242.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-13
授权号 :
CN209979892U
授权日 :
2020-01-21
发明人 :
李萍史云玲刘丹
申请人 :
天津领芯科技发展有限公司
申请人地址 :
天津市北辰区双街镇双街可信产业园B10-5-101
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201920894242.8
主分类号 :
G02B6/13
IPC分类号 :
G02B6/13  G02B6/122  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导;包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/12
集成光路类型
G02B6/13
以制作方法为特征的集成光路
法律状态
2020-01-21 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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