一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法
授权
摘要
本发明涉及光电子材料技术领域，公开了一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法，包括如下步骤：（1）切割及一次腐蚀：将8英寸铌酸锂晶体切割成晶片后放入腐蚀液中进行一次腐蚀；（2）还原黑化；（3）减薄及二次腐蚀：将还原黑化后的晶片双面减薄，清洗干净后再放入腐蚀液中进行二次腐蚀；（4）抛光；（5）三次腐蚀：将抛光后的晶片放入腐蚀液中进行三次腐蚀，清洗后得所述8英寸铌酸锂晶片。本发明采用三次腐蚀法解决了铌酸锂晶片内部应力变形严重及因此产生的晶片生产过程中容易碎裂的问题；抛光过程中采用多孔陶瓷盘吸附，解决了传统的贴蜡工艺引起的TTV不易控制的问题；加工过程中不用粘合剂，不接触有机物，晶片比较容易清洗。
基本信息
专利标题 ：
一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111230598A
申请号 ：
CN201911044426.6
公开（公告）日 ：
2020-06-05
申请日 ：
2019-10-30
授权号 ：
CN111230598B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
李春忠吴皓朱莉
申请人 ：
德清晶辉光电科技股份有限公司;杭州雨晶电子科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省湖州市德清县武康镇中兴北路889号2号厂房一楼西
代理机构 ：
杭州杭诚专利事务所有限公司
代理人 ：
尉伟敏
优先权 ：
CN201911044426.6
主分类号 ：
B24B1/00
IPC分类号 ：
B24B1/00 B24B41/06 B28D5/00 H01L21/302
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B1/00
磨削或抛光的工艺；与此工艺有关的所用辅助设备
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2020-06-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B24B 1/00
申请日 : 20191030
申请日 : 20191030
2020-06-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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